- 磁控濺射鍍膜儀
- 熱蒸發(fā)鍍膜儀
- 高溫熔煉爐
- 等離子鍍膜儀
- 可編程勻膠機
- 涂布機
- 等離子清洗機
- 放電等離子燒結爐
- 靜電紡絲
- 金剛石切割機
- 快速退火爐
- 晶體生長爐
- 真空管式爐
- 旋轉(zhuǎn)管式爐
- PECVD氣相沉積系統(tǒng)
- 熱解噴涂
- 提拉涂膜機
- 二合一鍍膜儀
- 多弧離子鍍膜儀
- 電子束，激光鍍膜儀
- CVD氣相沉積系統(tǒng)
- 立式管式爐
- 1200管式爐
- 高溫真空爐
- 氧化鋯燒結爐
- 高溫箱式爐
- 箱式氣氛爐
- 高溫高壓爐
- 石墨烯制備
- 區(qū)域提純爐
- 微波燒結爐
- 粉末壓片機
- 真空手套箱
- 真空熱壓機
- 培育鉆石
- 二硫化鉬制備
- 高性能真空泵
- 質(zhì)量流量計
- 真空法蘭
- 混料機設備
- UV光固機
- 注射泵
- 氣體分析儀
- 電池制備
- 超硬刀具焊接爐
- 環(huán)境模擬試驗設備
- 實驗室產(chǎn)品配件
- 實驗室鍍膜耗材
- 其他產(chǎn)品
該電子束蒸發(fā)方式鍍膜儀，主要用于制備各種導電薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、光學薄膜，微納器件微加工，電鏡樣品預處理等，尤其適用蒸鍍各種難熔金屬材料。不僅可用于玻璃片、硅片等硬質(zhì)襯底，也可用用于PDMS、PTFE、PI等柔性襯底上鍍膜。
電子束蒸發(fā)鍍膜儀設備技術參數(shù)
|
使用條件 |
環(huán)境溫度 |
5℃～40℃ |
|
電源 |
380V |
|
|
功率 |
≤20KW |
|
|
水壓 |
≤2.5bar |
|
|
真空室尺寸 |
蒸發(fā)室尺寸 |
φ500×H500(㎜) |
|
過渡倉庫 |
φ280×H300(㎜) |
|
|
電子槍 |
新型電子槍1套，6穴坩堝 |
|
|
離子源 |
考夫曼離子源K08一套 |
|
|
樣品轉(zhuǎn)盤 |
樣品尺寸：≤φ150mm，樣品可旋轉(zhuǎn)，也可上下升降調(diào)節(jié)樣品到電子槍距離(樣品托形狀按用戶要求設計),加熱溫度≤500℃ |
|
|
系統(tǒng)真空度 |
極限真空 |
經(jīng)12～24小時烘烤，連續(xù)抽氣≤5x10-5Pa |
|
|
抽氣速率 |
從大氣開始40分鐘內(nèi)真空度≤5x10-4Pa |
|
|
系統(tǒng)漏率 |
整機漏率≤1×10-8Pa.L/s 停泵關機12小時后，測量真空室真空度≤10Pa |
|
抽真空系統(tǒng) |
TY1200分子泵+機械泵(VRD-30)系統(tǒng)，并設置旁路抽氣 |
|
|
鍍膜監(jiān)測 |
采用TM160膜厚儀進行監(jiān)測 |
|
|
鍍膜厚度的不均勻度 |
≤3% |
|
